מספר מוצר של יצרן:
TSM160N10CZ C0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM160N10CZ C0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
13 יחידות חדשות מק originales במלאי
12894658
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM160N10CZ C0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
160A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
154 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9840 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
TSM160
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM160N10CZ C0G-DG
TSM160N10CZC0G
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTP180N10T
יצרן
IXYS
כמות זמינה
3351
DiGi מספר חלק
IXTP180N10T-DG
מחיר ליחידה
3.12
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFP180N10T2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFP180N10T2-DG
מחיר ליחידה
3.00
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP3036SFV-7
MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
DMT3008LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMT3003LFG-7
MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
